三星发布第五代eUFS2.1闪存 上半年量产
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【天极网DIY硬件频道】内存竞赛在手机行业越演越烈,最大RAM容量已经提升到12GB,最大的ROM容量也提升到1TB。手机上常见的ROM存储有eMMC、UFS两种,其中最受旗舰手机欢迎的则是UFS存储。
三星今天在官网发布业界首款容量1TB的“嵌入式通用闪存存储器”(eUFS),并开始正式投产,能够为下一代移动设备带来更出色的使用体验。三星计划在2019上半年扩大将位于韩国Pyeongtaek工厂种第五代512Gb V-NAND产量,以满足全球移动设备制造商对1TB eUFS的需求。
该存储器由16层512Gb的V-NAND闪存(基于第五代)配合新开发的专属控制器,速度是普通microSD存储卡的10倍,尺寸与上一代512GB(11.5mm*13mm)的产品相同特别适合数据密集型应用,包括4K UHD视频拍摄。
三星同时还公布了几代产品的性能对比,1TB eUFS2.1闪存无论是连续读写还是IO性能都达到最佳。连续读取性能达1000MB/s,连续写入则是260MB/s,随机读取性能58000IOPS,随机写入则是50000IOPS。
三星电子内存营销执行副总裁Cheol Choi表示:“预计1TB eUFS将在推动下一代移动设备的发展上起到关键的作用”。
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