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SanDisk联手东芝进军10nm级别闪存工艺

2011-01-31 06:00:00 作者：上方文Q　

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  【天极网DIY硬件频道】2010年闪存芯片的制造工艺普遍都是30nm级别，2011年则将成为20nm级别普及的开端，同时10nm级别工艺的投资和研发也即将陆续开始。

  SanDisk近日就表示：“2011年我们的首要营业费用投资就是研发，包括Fab 5晶圆厂上线投产，以及(10nm级别)和更先进NAND闪存制造工艺的技术投资。”

  SanDisk指出，得益于移动设备的全球浪潮，闪存的市场需求正在迅猛增加，因此SanDisk将与东芝合作，加速2bpc(每单元两个比特)、3bpc等规格MLC NAND闪存芯片的生产。

  截至2011年1月2日，SanDisk第四季度收入13.3亿美元，同比增长7%，环比增长8%，去年总收入48.3亿美元，相比2009年的35.7亿美元大幅增长了35%;第四季度GAAP审计净利润4.85亿美元(每股收益2.01亿美元)，同比增长43%，环比增长51%，全年净利润13.0亿美元，同比增长31%。

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