树立新一代存储产品标杆，兆易创新开拓高能效应用赛道

  近日，第11届EEVIA年度中国硬科技媒体论坛暨产业链研创趋势展望研讨会在深圳开启。兆易创新存储器事业部产品市场经理张静受邀出席，以“持续开拓，兆易新一代存储产品助力行业创新”为题，分享了兆易创新在嵌入式存储器领域的广泛布局，以及面向产业技术变革浪潮的创新思考，共同探讨“半导体产业波动周期”下的存储器市场发展趋势。

  GD Flash的开拓之路：十四载达成212亿颗出货成就

  众所周知，Flash是一种非易失性的存储器，在断电和掉电的情况下，存储的内容不会发生丢失，是绝大多数电子系统必备的元器件。作为一家以存储器为起点的公司，兆易创新从2009年推出国内第一颗SPI NOR Flash，经过多年的产品研发和市场拓展，目前Flash产品的累计出货量已经超过212亿颗，且市场占有率稳步提升。

  “十年前，Flash的应用场景是U盘、DVD、液晶电视等消费产品;十年后，汽车、工业、物联网、5G通信等领域成为了Flash的热门应用场景。”张静在演讲环节表示：“紧随技术变革的步伐，兆易创新Flash持续引领突破，现已提供27大产品系列、16种产品容量、4个电压范围、7款温度规格和29种封装方式的产品家族，覆盖了几乎所有需要存储代码的应用场景。”

 现场展示的兆易创新存储器产品

  那么，开发者如何挑选合适的Flash产品呢？张静从不同应用对Flash容量、读取性能、封装等几个角度进行了解读。

  在容量上，针对不同应用与系统复杂程度，不同的嵌入式系统存储代码所需的Flash容量差别很大，例如消费电子所需Flash容量在512Kb~4Gb，而物联网设备所需Flash容量为1Mb~256Mb。目前，兆易创新NOR Flash系列提供从512Kb至2Gb容量范围，其中512Mb、1Gb、2Gb的大容量SPI NOR Flash产品更是填补了国产NOR Flash的空白;SLC NAND Flash系列提供1Gb至8Gb容量范围，赋能消费电子、PC周边、网络通信、汽车/工业等领域对于大容量存储数据的需求。

  在性能上，兆易创新GD25T/LT系列是业界首款超高性能、超高可靠性的车规级4口SPI NOR Flash产品，数据吞吐量高达200MB/s，内置ECC算法和CRC校验功能，可以满足车载应用的严苛要求。GD25X/LX系列则进一步拓展，是8口SPI NOR Flash产品，数据吞吐量可以达到400MB/s，实现了业界超高水平的产品性能，赋能广泛的汽车电子应用。

  在封装上，兆易创新更是存储行业的引领者，例如在64Mb容量上，兆易创新推出了业界超小尺寸的3 x 2 x 0.4 mm FO-USON8封装产品，与传统3 x 2 mm USON8封装完全兼容，而传统3 x 2 USON8封装的最大可支持容量是32Mb。这意味着开发者无需改动PCB，仅仅换一颗兆易创新FO-USON8封装的Flash即可实现容量翻倍。不仅如此，今年5月兆易创新重磅推出采用3 x 3 x 0.4 mm FO-USON8封装的GD25LE128EXH芯片，这是目前业界在128Mb容量上能实现的最小塑封封装产品，与传统3 x 4 mm USON8封装完全兼容，而传统3 x 4 mm USON8封装的最大支持容量是64Mb，开发者无需改动PCB，换上GD25LE128EXH芯片便可实现容量翻倍，能够很好地满足可穿戴电子产品对“轻、薄、小”的追求。

  探索先进制程SoC的高能效应用，1.2V超低电压Flash为绿碳贡献力量

  随着双碳理念的发展，高能效、低功耗的应用需求在半导体领域愈发凸显。与此同时，移动设备、云计算、汽车电子、可穿戴等应用的SoC主芯片也在走向7nm及以下的先进工艺制程;一般而言，制程节点越先进，SoC主芯片性能越高、功耗越低。此时，SoC的核心供电电压也降到了1.2V，若使用常规1.8V的NOR Flash，外围电路设计将变得复杂，产品开发难度也会提升。

  如下图所示，左侧的方案是核心电压1.2V的SoC与1.8V的NOR Flash进行通信，SoC设计需要增加升压电路，将内部1.2V电压提升至1.8V，才能匹配外部NOR Flash的1.8V电压水平，这显然增加了电路设计的复杂度和提升了整体的功耗。右侧的方案则是NOR Flash核心供电和IO接口供电电压均为1.2V，与SoC核心电压1.2V保持一致，这样可以简化电源设计、SoC省去升压电路，并且降低系统功耗。

  应对这一趋势，兆易创新推出了1.2V SPI NOR Flash——GD25UF产品系列，在1.2V工作电压下的数据传输速度、读写功耗等关键指标上均达到国际领先水平，可以轻松适配核心电压1.2V的先进制程SoC。同时，相比1.8V NOR Flash，1.2V GD25UF系列在Normal模式下，相同电流情况下的功耗降低33%;在Low Power模式下，相同频率下的功耗更是降低70%。这些出色的特性使得GD25UF系列成为下一代可穿戴和可移动设备的优先之选。

  另外针对于高性能低功耗的双重需求，兆易创新提出了核心供电1.8V、IO接口电压1.2V的NOR Flash解决方案——GD25NF产品系列。这款产品为先进制程SoC的电路设计提供了新的解决方案：Flash的IO接口电压为1.2V，核心电压1.2V的SoC与其通信无需增加升压电路，简化了SoC电路设计;Flash的核心供电为1.8V，可以保持超高读取和擦写性能，而整体来看，读取功耗相比常规1.8V方案最多可以降低40%。因此该方案也受到了集成商、OEM的广泛关注，目前GD25NF产品系列正处于送样阶段。

  作为嵌入式存储的领导者，兆易创新不仅在容量、性能、封装、电压等关键要素发力，也持续聚焦存储器至关重要的可靠性、安全性等诸多方面，使得新一代存储芯片能够满足千行百业的应用需求，助力行业加速创新。

  在研讨会同期，E维智库首届“年度硬科技产业纵横奖”评选活动及颁奖典礼圆满举行，兆易创新GigaDevice荣获“中国技术开拓奖”以及“‘E’马当先新品奖”两座奖杯!