公众号海力士推出第3代4D NAND闪存：最高176层堆叠
2020-12-16 11:17:55
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【天极网DIY硬件频道】使用NAND Flash的固态硬盘及其相关的价格一直走低，主要得益于闪存堆叠层数的不断增加和供货充足的市场环境。从96层3D NAND闪存芯片开始，SK Hynix便致力于推动4D闪存技术的发展，虽然海力士的4D NAND基于3D NAND开发而来，但在性能和能效上具备相当优势。
SK Hynix在12月中旬公布第三代176层的NAND闪存芯片，设计也从传统升级到PUC方案。在最大限度提高生产效率，同时还能减小存储芯片的尺寸。并确保每片晶圆的最佳产出。
外媒WCCFTech指出，作为4D NAND闪存芯片系列的最新一代，海力士已于上月向主控企业提供样品，以推动相关产品的上市。海力士NAND开发负责人Jung Dal Choi表示：“闪存行业正在努力改善技术，以实现高集成度和高产量。同时作为4D NAND的先驱，海力士将引领业内最高的技术和产能”。
性能方面，第三代4D NAND技术可提升单元读取速度和数据传输速率，而且176层NAND闪存芯片采用2分区单元阵列选择技术，其原理是将存储单元分成两个部分，调用电阻更低、读取速度更快。通过不增加处理数量的加速技术(确保数据调用请求能够快速响应)，第三代4D NAND还可将传输速率提升33%。然后是能够实时自动校正的超精密对准技术，其特点是能够保障堆栈之间的电流稳定性，进而确保可靠的性能。
海力士希望在未来开发出基于176层4D NAND技术的Tb级产品。
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