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英特尔MRAM量产在即:DRAM和NAND再遇强敌

天极网硬件频道 2019. 02. 21 作者:咸鱼妹 责编:王跃锐
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  【天极网DIY硬件频道】在经历2016年中到2018年底的疯狂之后,DRAM内存和NAND闪存的都在2018年出现下跌。在DRAM内存在2019年第一季度将下跌20%,集邦存储预计DRAM内存在第二季度还有15%的跌幅;NAND闪存在2018年的跌幅更是高达50%,在没有足够支撑的情况下,NAND闪存在2019年还有50%的下跌。

  但价格下跌还不是DRAM内存和NAND闪存最坏的消息。行业资讯网站EETimes不久前发布一份报告显示,英特尔自主研发的商用MRAM(磁阻随机存取存储器)已经做好大批量生产的准备。提交这篇论文的英特尔工程师Ligiong Wei表示:“英特尔嵌入式MRAM技术可在200摄氏度下实现长达10年的记忆期,并可在超过100万个开关周期内实现持久性。由于具有省电的特性,英特尔的嵌入式MRAM很有可能率先用在移动设备上,例如物联网 (IoT) 之类的设备商应用,通海还能搭上5G世代的列车。”

  MRAM是一种非易失性存储技术,通过磁致电阻的变化来表示二进制中的0和1,从而实现数据的存储。由于产品本身具备非易失性,让其在断电情况下依然可以保留数据信息,并拥有不逊色于DRAM内存的容量密度和使用寿命,平均能耗也远低于DRAM。

  由于物理极限,半导体的制程微缩已经渐至瓶颈,经过多年发展的DRAM内存和NAND闪存已经难有潜力再挖。作为新兴技术的MRAM则拥有很多发展空间。除了英特尔,台积电在去年也传出有一重启MRAM产品的研发计划。

作者:咸鱼妹责任编辑:王跃锐)
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