三星电子推出多层EUV技术的14纳米DRAM芯片

【天极网DIY硬件频道】EUV极紫外光刻工艺目前主要用于复杂的逻辑电路芯片制造，全球最大的存储芯片制造商三星电子在本周二宣布：三星电子开始在DRAM芯片的生产中使用极紫外光刻(EUV)技术，批量生产业界14纳米制程的DRAM芯片。三星方面认为，在DRAM制造中引入极紫外光刻，有助于其巩固在存储行业的领导地位。

继2020年3月出货业界首款EUV DRAM之后，三星电子将EUV层的数量增加到5层，为最新一代DDR5解决方案提供当下最精细、最先进的DRAM生产工艺。

三星电子表示：引入EUV极紫外光刻技术能够大幅减少多图案绘制中的重复步骤，提高图案绘制的准确性，从而实现了更好的性能和更高的产量，同时缩短开发时间。三星电子还表示，在EUV极紫外光刻技术下，即将开始量产DDR5内存将获得20%的生产率提高，降低近20%的能耗。

DDR5是新一代DRAM标准，与DDR4相比，DDR5拥有速度快、密度高、功耗低的特点。同时还针对大数据、人工智能(AI)和机器学习等数据密集型应用进行优化。利用最新的DDR5标准，三星14纳米DRAM将帮助解锁7.2Gbps的内存速率，其速度是DDR4速度的2倍多。

三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人Lee Joo-Young称：“通过专注关键的图形技术创新，三星已经引领DRAM市场近30年。随着三星在DRAM中引入多层EUV，实现另一个技术里程碑，是传统的氟化氩 (ARF) 工艺所不可能实现的壮举。三星将在这一进步的基础上，继续提供差异化程度最高的内存解决方案，充分满足5G、AI和元宇宙等数据驱动型领域对更高性能和容量的需求。”

三星电子推出多层EUV技术的14纳米DRAM芯片

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