30nm制程突破 三星已启用2G DDR3芯片研制

  【天极网DIY硬件频道】【天极网 硬件群组5月6日消息】在去年年末，三星金条率先在全球范围内推出40nm工艺制程DDR3内存产品。作为全球第一款40nm的DDR3内存，在40nm新技术工艺的优势下，40nm DDR3内存成为节能、环保内存的代名词。

三星金条40nm DDR3 1333内存

  40nm制程DDR3内存的意义不仅仅是节能，同时，对DDR3内存普及也起到很大的推动作用。40纳米三星金条内存生产效率提升60%，生产效率提高，内存生产成本造价上也得到控制，DDR3内存价格降下来，对DDR3内存的普及有着推波助澜的作用。

  三星推出40nm工艺后不久，同行业界也开始纷纷效仿，海力士和尔必达也宣布2010年下半年量产40nm DDR3内存，一时间40nm工艺DDR3内存成为行内热点话题。40nm内存成为内存选择新标杆，可是对三星金条来说，这已经是过去式，现在三星正式步入30nm工艺制程大门。领先同行至少半年时间的技术优势，这足以证明三星电子在半导体行业中的技术研发实力，作为行业的龙头老大，用“一直被模仿，从未被超越”来形容，实在是太贴切了。

30nm制程DDR3芯片

  三星电子近日宣布已经成功制成业内首款30nm制程 2Gb DDR3芯片。据三星电子发言人表示，启用30nm制程后，DDR3内存芯片的产出率将比40nm制程提升60%左右，相比50、60nm制程的成本利用率提升两倍左右。三星金条30nm工艺级DDR3 DRAM内存芯片的容量为2Gb，支持1.5V标准电压和1.35V低电压，相比50nm工艺级可节省最多30%的功耗。因此又称为绿色内存(Green DRAM)。今年下半年，此项工艺技术将得到三星电子加速量产，最终的受益的还是广大消费者。具备低功耗、低发热、绿色化表现，成为消费者选择内存重要指标。

  三星金条30nm制程工艺内存，芯片颗粒体积更小，颗粒间距加大，加强内存芯片间的散热效果，另外低电压、低功耗表现更加让人满意。高品质的内存颗粒完全适合游戏玩家、发烧友、OEM商的要求。30nm工艺制程内存运用到笔记本中，有效解决笔记本电脑散热和稳定运行，充分体现30nm工艺内存的强大。30nm制程的DDR3内存将在2010年下半年进入量产阶段，一起期待三星金条30nm DDR3内存与消费者见面那天吧。