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提升3倍P/E循环数 慧荣SM2258主控芯片解析

天极网硬件频道 2016. 07. 29 作者:Tp 责编:严弢
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  此次我们收到了采用慧荣2258主控解决方案的英特尔540S系列240GB样品,540S系列是款搭配海力士16nm TLC NAND并采用慧荣SM2258主控芯片的参考产品,并完成验证开始售卖。

  拆开540S之后内部所有核心元器件都集成在2.5寸PCB板上,正面的PCB板上分布有主控芯片、高速缓存以及闪存颗粒,主控芯片为慧荣2258主控芯片、缓存则来自南亚1534、基于ONFI 3.0架构的海力士原厂TL闪存颗粒,编号为H27QEG8NDM5R,基于ONFI架构,单颗芯片容量为32GB,共计256GB闪存容量,其中16GB闪存容量作为OP冗余缓存,实际可用容量为240GB。过去慧荣SM2256也曾使用过这套方案,SM2256同样拥有专利的NANDXtend技术,为TLCSSD提供比原来高三倍的耐久度。

  具有较强耐久度和低功耗的同时,SM2258主控芯片还整合ASE 256、可信计算机组织和Opal全驱动加密标准。缓存采用南亚1534 128MB SLC高速缓存,为整颗SSD读写提供高速的数据缓冲。

  慧荣SM2258主控芯片拥有强大的读取能力,针对TLC闪存颗粒在性能和p/E方面都极具竞争力,下一个环节我们就实际进行客观数据测试参考。

作者:Tp责任编辑:严弢)
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