公众号电阻式RAM将成新宠,美光曝可变电阻式ReRAM
2014-12-23 10:50:59
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【天极网DIY硬件频道】可变电阻式ReRAM 作为新的存储技术，从研发到商用总是要历经漫长的艰难坎坷。其实，美光早在2007年就提出了这种技术，此后几乎每年都会透露一些进展，但就是距离量产也没有给出具体时间表。
美光可变电阻式ReRAM 是和索尼联合研发的其基本原理和Crossbar RRAM有些类似，同样是非易失性存储，但是更强调电阻可变，同时为了区分，缩写也有所不同。
内部互连结构示意图
美光这次在IEEE IEDM 2014国际电子设备大会上上公布的原型采用了27nm CMOS工艺制造，三层铜线互连，单颗容量16Gb(2GB)，内核面积168平方毫米。作为原型，它采用了DDR内存接口，但后期很容易替换。
美光表示，理想的指标是读写带宽1000MB/s、200MB/s，读写延迟2微秒、10微秒，而目前的原型可以发挥大约九成的功力。
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