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三星开始量产16Gb GDDR6内存芯片:10nm工艺/功耗降低35%

Yesky天极新闻 2018. 01. 19 作者:August 责编:熊嫒
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  【天极网DIY硬件频道】去年12月,三星电子宣布开始量产业界首款、采用第二代10nm工艺(1y-nm)级别的DRAM芯片8Gb DDR4芯片。近日,三星再次宣布16Gb DDR6 RAM芯片也已经开始大规模量产。

  三星称,16Gb DDR6 RAM芯片同样基于10nm工艺制程打造,而且功耗也变得更低,将会在先期上市的下一代显卡、显示系统中扮演至关重要的角色。

三星开始量产16Gb GDDR6内存芯片:10nm工艺/功耗降低35%
三星开始量产16Gb GDDR6内存芯片:10nm工艺/功耗降低35%

  三星电子方面表示,相比于第一代10纳米级工艺相比,第二代工艺的产能提高30%,有助于公司满足全球客户不断飙升的DRAM芯片需求。而且,第二代10纳米级芯片要比第一代芯片快10%,功耗降低15%。同时,阵脚带宽3600Mbps起,也比1x-nm时代的DDR-3200进步。

  据介绍,这款三星16Gb DDR6 RAM芯片数据传输速度达72GB/s,几乎两倍于8Gb GDDR5 RAM芯片;同时,功耗也下降了约35%,制造生产率还上涨了30%,这意味着,同样时间内生产线将有望产出更多的16Gb DDR6 RAM芯片。

作者:August责任编辑:熊嫒)
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