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国产闪存芯片发力,长江存储推出全新3D NAND架构Xtacking

天极网硬件频道 2018. 08. 07 作者:shadow 责编:毛少欣
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  【天极网DIY硬件频道】对于闪存芯片行业,持续被三星,镁光,东芝等厂商垄断。在中国,长江存储是中国第一家进军NAND闪存的企业,今日,长江存储公开发布其突破性技术——Xtacking。该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能,更高的存储密度,以及更短的产品上市周期。目前长江存储已将该技术应用于到第二代3D NAND产品的开发,预计2019年进入量产阶段。

国产闪存芯片发力,长江存储推出全新3D NAND架构Xtacking

  据了解,采用Xtacking,可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺,以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。

  存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后,创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses,垂直互联通道)将二者键合接通电路,而且只增加了有限的成本。

  Xtacking技术将为NAND闪存带来前所未有的超高传输速率,同时最大化其内存阵列的密度。长江存储表示,其64层3D NAND芯片的I/O接口速度为3 Gbps,比三星最新的V-NAND快两倍,比主流3D NAND快三倍。

  Xtacking技术将应用于智能手机、个人计算、数据中心和企业应用等领域,提供高性能、定制化NAND解决方案。

作者:shadow责任编辑:毛少欣)
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