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三星量产第二代10nm级DRAM芯片 内存价格有望下降?

天极网硬件频道 2017. 12. 20 作者:shadow 责编:毛少欣
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  【天极网DIY硬件频道】三星电子今天宣布,开始量产业界首款、采用第二代10nm工艺(1y-nm)级别的DRAM芯片。三星称,第二代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片,实现了新的突破。

三星量产第二代10nm级DRAM芯片 内存价格有望下降
图片来自网络

  和第一代10纳米级工艺相比,第二代工艺的产能提高30%,有助于公司满足全球客户不断飙升的DRAM芯片需求。而且,第二代10纳米级芯片要比第一代芯片快10%,功耗降低15%。同时,阵脚带宽3600Mbps起,也比1x-nm时代的DDR-3200进步。

  与此同时,三星电子方面表示:“通过开发DRAM电路设计和工艺技术的创新,我们已经突破了DRAM扩展性的主要障碍。通过第二代10nm级DRAM的快速增长,我们将更加积极地扩展我们整体的10nm级DRAM的产品产能,以适应强劲的市场需求,并继续加强我们的业务竞争力。同时,也会进一步加快依赖DRAM技术的DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等形态存储芯片的开发工作。”

三星量产第二代10nm级DRAM芯片 内存价格有望下降
图片来自网络

  总之,三星第二代10nm级DRAM芯片的量产,对于消费者来说,也意味着,在这内存价格飙升的情况下,在未来内存的价格将有望下探。也就是说在明年,内存/SSD的基础产能也将得到极大的满足,最终带动价格下探。

作者:shadow责任编辑:毛少欣)
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