公众号东芝首家宣布19nm闪存工艺
2011-04-23 06:00:00
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【天极网DIY硬件频道】上周Intel美光合资的IMFT公司刚刚宣布20nm闪存工艺，创造了闪存制造技术的新纪录。本周这一纪录马上再被打破，东芝今天就宣布了自己的19nm NAND闪存制造技术。
东芝表示，该技术目前已经应用在2bpc(即MLC)64Gbit(8GB)NAND闪存芯片上，可用于固态硬盘或智能手机、平板机内置存储等。未来还将应用于3bpc产品，主要用于U盘存储卡等。
东芝表示，其19nm工艺NAND闪存产品支持Toggle DDR2.0标准，可提升传输速度。同时由于工艺提升导致的芯片面积下降，他们可以在同一颗芯片内封装16片64Gbit 闪存，实现单芯片128GB容量，面向智能手机、平板机等空间有限的产品。
东芝的19nm工艺2bpc(MLC)64Gbit NAND闪存将于本月底出货样品，今年第三季度实现量产，基本和Intel/美光的20nm工艺同步。
更新：作为东芝的闪存技术合作伙伴，SanDisk也同期宣布了19nm闪存工艺。
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