公众号新型存储技术MRAM首次展示
2014-10-13 15:01:13
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【天极网DIY硬件频道】近日，日本TDK首次展示了新型存储技术MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash闪存，至于MRAM何时能够投入实用，目前还没有确切时间表，但是TDK估计说可能需要长达10年。
MRAM全称磁阻随机访问内存，已经存在一段时间了，但是TDK将其带到了一个新的高度。它以磁荷为数据存储介质，而它的名字来自自旋传输矩，也即是写入数据的时候利用电子角动量来改变磁场。
MRAM技术的读写速度可以媲美SRAM、DRAM，当同时又是非易失性的，也就是可以断电保存数据，等于综合了RAM、Flash的优点，这次TDK拿出的原型芯片和一个NOR Flash闪存进行了肩并肩对比，读写数据的速度是后者的7倍多——342MB/s VS. 48MB/s。
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