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三星开发新RDIMM内存 基于TSV技术

2010-12-09 06:00:00 作者：王以宁

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  【天极网DIY硬件频道】韩国三星公司于日前表示，该公司已成功开发出基于该公司先进的绿色DDR3芯片的8GB registered dual inline memory module (RDIMM)内存。新内存刚刚通过了三星公司主要合作伙伴和客户的测试，据说性能表现让人惊奇。值得一提的就是新内存基于的3D芯片堆栈技术，也就是TSV(through silicon via 硅通孔)技术。

三星开发新RDIMM内存 基于TSV技术

  相比传统的RDIMM内存，三星公司新款基于3D TSV技术的8GB RDIMM内存可以节约40%的功耗，同时通过TSV技术将能够显著提升内存容量，从而可以为下一代服务器系统带来更大的内存空间。在下一代服务器内存插槽提升30%的情况下，TSV技术能够让内存容量提升最多50%以上，因此对于未来高容量高性能服务器来说，TSV技术将拥有足够的吸引力。通过TSV技术将可以实现提升内存容量以及性能的同时依然能够保持良好的功耗控制。硅通孔技术(TSV，Through -Silicon-Via)是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的最新技术。

  3D TSV技术的规模应用预计会在2012年实现，三星公司目前已经计划使用30nm工艺生产出拥有更高性能和更低功耗的TSV技术内存。

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