西部数据公司发布96层3D NAND UFS 2.1嵌入式闪存盘

  【天极网DIY硬件频道】2018年上半年智能手机总出货量的内置存储容量环比2017年上半增加了40%，相当于每部手机拥有51GB的存储容量。分析机构Counterpoint Ressarch指出，NAND闪存容量将在2017-2021年迎来28%的复合年增长，其增长点来自于平板用户对大屏幕、大容量存储和强大性能的需求，满足泛娱乐和移动生产力等主要场景。

  < 由左至右： 西部数据公司产品市场部副总裁-朱海翔，西部数据公司嵌入式及集成解决方案(EIS) 产品市场总监-包继红以及西部数据公司高级副总裁兼中国区总经理-Steven Craig >

  针对行业市场对快数据的应用需求，西部数据公司今天推出96层3D NAND技术，采用先进的UFS 2.1接口以及西部数据公司iNAND SmartSLC 5.1架构，这款96层3D NAND UFS 2.1嵌入式闪存旨在加速实现人工智能、增强现实、多个摄像头高分辨率摄影、4K视频采集以及面向高端手机和计算设备的高要求应用。

  数据的演变推动行业变革

  5G和AI是未来推动数据繁荣的主要技术趋势，数据的角色正在发生着数据的角色正在发生着演变，初期数据仅仅用做存储，发展至今随着AI和智慧城市等风口的兴起数据挖掘和分析正成为当下数据处理的主要应用。

  在设备使用存储容量接近98%时，EU321可一直保持巅峰的写入性能，这一特性基于SmartSLC 5.1架构采用SLC缓冲区和TLC存储区，在SmartSLC Gen 5.1架构下顺序写入速度为550MB/s，随机IOPS写速度达到52K，其性能适用于高端旗舰手机机型，容量从32GB起，最大256GB。

  西部数据公司产品市场高级总监Oded Sagee表示：“移动设备已成为我们日常互联生活的中心。随着面向5G速度、4K视频、AR和VR的新兴功能不断提升智能手机、平板电脑和笔记本电脑的能力，用户对设备的期望，以及支持这些日益丰富用户体验的技术需求也在水涨船高。我们的3D NAND技术使得用户能够获得更高的内置存储容量，从而支持其整个智能手机生命周期对数据的需求。同时，在传统存储架构下，设备的性能通常会随着容量的消耗而逐渐降低，而西部数据公司的iNAND MC EU321 EFD专门用于高性能运转的维持，使用户能够始终自如地创建、保存和享受他们的数字体验。”

  针对数据密集型的高端移动设备进行了优化

  iNAND MC EU321是iNAND系列的新成员，该系列十多年来一直受到全球所有主要智能手机和平板制造商的信赖。iNAND MC EU321 EFD可提供高达550MB/s的连续写入性能，从而实现卓越的用户体验。西部数据公司目前正在就容量高达256GB[1]的存储解决方案在OEM中开展测试。