三星3D V-NAND技术让存储容量再提升

  【天极网DIY硬件频道】如今SSD固态硬盘产品，已经不是什么新鲜东西了，经过多年的市场考验，以及用户的使用，SSD产品已经趋于成熟，无论在技术层面，还是在应用层面，都达到了一定的程度。目前，SSD行业发展也遇到了技术瓶颈，尤其是在产品容量与速度以及耐用性方面尤为明显;传统的SSD产品多数采用的是2D平面型设计的CELL(存储单元)技术，这样的设计最大的问题是，在单位面积中，无法提高CELL的数量，导致SSD的容量受到限制。

  不过采用全新32层3D V-NAND技术的三星固态硬盘850 PRO的出现，完美的将这个问题解决了;其中3D是指立体存储，V指的是垂直存储。3D V-NAND不再贸然使用新工艺来缩小CELL单元，而是选择了堆叠更多层数这就和高楼大厦一个道理，可以居住更多户人，而且可以保证足够的公摊面积;同时，其32层3D V-NAND技术，可以使得SSD实现更高的存储密度、写入速度以及更低的功耗，与比传统2D平面型NAND更高的耐久性，代表着整个闪存产业的最高技术水平。

  此前闪存芯片采用2D平面型NAND技术，临近存储单元的堆放密度极限，三星3D V-NAND技术采用不同于传统NAND闪存的排列方式，通过改进型的Charge Trap Flash 技术，在一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元，使得在同样的平面内获得更多的存储空间。这样的设计，我们可以通俗的理解成，在单位空间内，晶体管的容量是以立体形式堆叠出现的，就好比在一块土地上盖房子，如果是采用平房结构，那么就会降低土地的利用率，要是采用楼房的形式，就会大大提升单位面积的利用率。

  今年，三星升级3D V-NAND技术改为32层柱状细胞结构，可以垂直堆叠更多个存储单元，从而提高密度，降低碳足迹，同时还能可提供两倍于传统20nm平面NAND闪存的密度和写入速度。此外，第二代32层3D V-NAND闪存的使用寿命较之SLC闪存更长，让您的应用更加安心。

  此外，三星850 PRO固态硬盘，在主控方面采用了三星全新研发生产的S4LN045X01-8030(MEX)主控制器，它属于ARM架构的三核处理器，具备更强悍的多任务、多路数据读写传输能力。主要提高在算法设计和CPU的频率。和840 PRO的300MHz MDX三核主控相比，850 PRO的MEX主控的频率提高到400MHz。除了拥有超强的主控，该款SSD产品的缓存也得到了很大的提升，相比最大容量为512GB的三星840PRO系列产品，则拥有512MB独立缓存。而到了最大容量为1TB的850 PRO，则拥有1GB LPDDR2独立缓存。

  全新上市的三星850PRO系列固态硬盘，其主控和闪存等到了全面升级，为每一位使用者提供了更全面的，更快捷，更安全的使用体验，三星SSD确保卓越的品质和可靠性，相信一定会是您提高电脑性能的最佳选择。