让QLC闪存拥有SLC性能？X-NAND技术专利已获批准

  【天极网DIY硬件频道】在SSD固态硬盘高速发展的过去十年，固态硬盘硬盘的读写速度、价格和性价比都变得越来越高。得益于技术的不断进步，固态硬盘的闪存类型从1 bit的SLC发展到2 bit的MLC、3 bit的TLC和、4-bit的QLC，下一代5 bit的PLC也已经在开发当中。 

  虽然SLC类型的NAND闪存拥有的不俗的速度和最优秀的耐用性，但较低的数据密度和高企的制造成本，让它不适合民用市场。TLC和QLC闪存虽然寿命和性能略差，但DRAM和SLC缓存策略下，让它们成为消费市场的最大赢家。

  在2020年的闪存峰会上，成立于2012年的闪存设计与半导体初创企业Neo Semiconductor就披露了X-NAND，宣称能够为闪存技术带来更高的性能与成本效益。与该技术相关的两项关键专利在本月得到正式授予。随着X-NAND技术的问世，固态硬盘产品的发展趋势将得到延续。 

  X-NAND的特点是在单个封装中结合SLC NAND的性能优势以及多bit的存储密度。与传统方案相比，X-NAND可将闪存芯片的缓冲区大小减少多达94%，使制造商能够将每个芯片的平面数量从2-4个大幅增加到16-64个。NAND芯片在该技术下可实现更高的读取和写入并行性能，进而提升SLC NAND的性能。X-NAND理论上可将顺序读取速率提升至QLC的27倍、将顺序写入速率提升15倍，同时将随机读写性能提升3倍。

  同时得益于NAND芯片的更小、更低功耗，X-NAND技术产品的制造成本可控制到QLC级别。耐用性方面，Neo Semiconductor声称比传统TLC/QLC闪存好一些，但有多大的改善目前不得而知。

  目前，Neo Semiconductor正在寻求与三星、英特尔、美光、铠侠、西部数据、SK海力士等NAND制造商建立合作伙伴关系。 

  编辑点评：对于4 bit位的QLC产品来时，它的出现可能会扮演“救星”的作用，当下的QLC产品普遍存在连续读写性能差的问题，大文件读写时掉速、响应速度慢，而且耐用性不如TLC产品。X-NAND如果能够为QLC闪存提供稳定的性能和耐用性，相信各大闪存制造商都会十分关注