公众号换芯更具竞争力 全新三星850EVO SSD测试
2016-05-09 14:17:03
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【天极网DIY硬件频道】在2014年底，三星推出新一代主打性价比的850 EVO SSD，它采用架构更为先进的3bit 3D V-NAND闪存，相比840EVO该固态硬盘最大亮点无疑是3bit 3D V-NAND闪存，它的单位存储密度、P/E耐久度较之840 EVO的2D平面闪存有质的提升。
如今，随着三星第三代V-NAND的量产，三星850 EVO也进行了更新换代，采用了最新的第三代V-NAND全面取代过去的3bit 3D V-NAND闪存。
全新三星850EVO 以48层3-bit MLC堆栈的256Gb第三代V-NAND密度是第二代32层3-bit MLC 128Gb V-NAND的一倍，除了单颗晶粒就具备 32GB(256Gb)的内存储存容量外，最新芯片的储存容量也可轻松到三星之前SSD产品线的一倍之多。下面我们就来看一下全新升级的三星850 EVO固态硬盘。
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- 1.让其更具有竞争力 全新三星850EVO SSD测试
- 2.全新三星850 EVO固态硬盘介绍
- 3.全新三星850EVO固态硬盘测试平台介绍
- 4.ATTO Disk Benchmark测试
- 5.CrystalDiskMark测试
- 6.AS SSD Benchmark测试
- 7.Fastcopy测试
- 8.全文测试总结
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