公众号SK海力士宣布量产4D NAND：最高堆叠128层
2019-06-27 23:27:56
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【天极网DIY硬件频道】在距离96层4D闪存量产8个月后，SK海力士宣布已经成功研发并量产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，实现业内最高的闪存垂直堆叠密度，单颗芯片集成超过3600亿个闪存单元。新的128层4D闪存单颗容量1Tb(128MB)，容量是96层堆叠的1.4倍。
包括SK海力士在内多家闪存厂商都研发出1Tb QLC闪存，但单颗TLC闪存1Tb还是第一次。为了实现这个指标，SK海力士应用一系列创新技术，比如超同类垂直蚀刻技术、高可靠性多层薄膜单元成型技术、超快低功耗电路技术等。
SK海力士将在下半年批量出货128层1Tb 4D闪存，同时计划在2019年上半年开发下一代UFS 3.1闪存，将1TB手机所需的闪存芯片数量减半，同时将封装厚度控制在1毫米，并降低20%的功耗。SK海力士的新闪存可以在1.2V电压下实现1400Mbps的数据传输率，可用于高性能、低功耗的手机存储、企业级固态硬盘。
SK海力士计划在2020年上半年量产2TB消费级固态硬盘，采用自研主控和软件;16TB、32TB的企业级NVMe固态硬盘会2020那年宣布。
SK海力士的4D NAND闪存技术是2018年10月份公开的，4D指的是单芯片四层架构设计，结合3D CTF(电荷捕获闪存)设计、PUC(Peri. Under Cell)技术，后者是指制造闪存时先形成外围区域再堆叠晶胞，有助于缩小芯片面积。利用这种架构设计，SK海力士在从96层堆叠到128层堆叠时，虽然增加三分之一的层数，但制造工艺步骤减少5%、整体投资也降低60%。
SK海力士下一代176层堆叠的4D NAND闪存也已经处于研发阶段，至于何时发布目前并没有确切消息。
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