美光发布首款QLC产品 2018年秋季正式上市

【天极网DIY硬件频道】随着3D TLC闪存的普及，下一代QLC闪存的研发也被提上日程。美光5月22日发布了新款的5210 ION系列企业级SSD，采用美光与Intel联合开发的QLC NAND闪存颗粒，这也是全球首款QLC闪存产品。

Intel和美光的QLC NAND闪存颗粒已经做到64层堆叠，单Die容量达到512Gb(64GB)，现在64层堆叠产品的单Die容量更是高达1Tb(128GB)。新64层QLC NAND颗粒得益于四层结构，I/O指令并行弥补大容量带来的性能损失;再加上“阵列下CMOS”设计，使得电路设计增多的情况下，无需增大过多的内核面积。

美光5210 ION系列采用2.5寸SATA标准规格，起步容量为1.92TB，最大可达7.68TB;主控则是Marvell 88SS1074，固件由美光编写，未公布性能指标。美光5200 ECO系列的寿命只有1000次的编程/擦写循环，每天全盘写入次数应该只有0.5次，才可以保证硬盘不会出现问题，虽然比现在大部分3D TLC硬盘的每天0.3次要高，但作为企业级产品并不合格。

美光建议用户将5210 ION系列用于读取密集型场合，读取负载占比至少有90%，比如人工智能、机器学习、实时分析、大数据、媒体流等方面。在每天全盘写入0.1次的情况下，维持5年正常运行时没有问题的。

美光称5210 ION系列已经开始出货给特定客户，2018年秋天大规模上市，具体性能和价格也会在届时才会公布。另外，Intel和美光还联合宣布，已经完成第三代96层堆叠3D闪存，将带来业界最高的单位面积容量。

按照存储方式划分，NAND闪存已经发展了四代：

第一代SLC每单元可存储1比特数据(1bits/cell)，性能好、寿命长，可经受10万次编程/擦写循环，但容量低、成本高，如今已经非常罕见。

第二代MLC每单元可存储2比特数据(2bits/cell)，性能、寿命、容量、成各方面比较均衡，可经受1万次编程/擦写循环，现在只有在少数高端SSD中可以见到;

第三代TLC每单元可存储3比特数据(3bits/cell)，性能、寿命变差，只能经受3千次编程/擦写循环，但是容量可以做得更大，成本也可以更低，是当前最普及的;

第四代QLC每单元可存储4比特数据(4bits/cell)，性能、寿命进一步变差，只能经受1000次编程/擦写循环，但是容量更容易提升，成本也继续降低。

美光发布首款QLC产品 2018年秋季正式上市

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