三星第七代V-NAND闪存将采用双堆栈技术
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【天极网DIY硬件频道】随着NAND闪存芯片堆栈数的不断增加,单芯片的容量也得到大幅度提升,堆栈层数也因此被视为NAND闪存的核心竞争力。从三星在2013年成功量产第一颗三维的3D V-NAND闪存开始,业界在3D堆叠技术上不断进步。经过7年时间的发展,市面上主流的闪存均采用3D堆叠结构,堆栈层数以96层和128层为主流。
根据韩媒报道,三星第七代V-NAND闪存芯片取得重大进展,对叠层数将达到176层,并计划在2021年4月量产。尽管第7代V-NAND没有达到最初计划的192层,也是业界首个超过160层堆叠的NAND闪存。
三星一直通过减少集成电路的线宽来提高存储芯片的性能和容量,过去的单堆栈只能有一部分通孔,随着堆栈层数的增多,工艺也随之改进。与上一代128层堆叠闪存相比,第七代闪存在堆栈上取得明显的进步,在第七代NAND闪存上采用“双堆栈”技术,可以将通孔分成两部分的,以便电流通过电路的方法。
除了工艺的升级,三星在6月公布投资约9万亿韩元,建设位于韩国京畿道平泽工厂的2号NAND闪存产线,新工厂预计该设施将于2021年下半年投入运营。该工厂可能比原计划更早量产第七代NAND闪存芯片。
三星在最近几年一直占据着NAND闪存第一的位置,甚至连续两年超越英特尔,成为全球最大的半导体公司。
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