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3D V-NAND TLC闪存三星850 EVO将至

2014-10-30 14:28:19 作者：shadow

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  【天极网DIY硬件频道】三星早在7月初就宣布了新一代高端固态硬盘850 EVO，会采用3D立体堆叠的V-NAND TLC闪存颗粒，但却一直没有正式发布，近日外媒曝光三星850EVO使得850 EVO逐渐揭开了面纱。

3D V-NAND TLC闪存三星850 EVO将至

  该产品三星850EVO其描述为全球首款3bit 3D V-NAND固态硬盘，而所谓的3bit 3D V-NAND其实就是采用3D V-NAND技术的TLC闪存。在规格方面目前了解到的是持续读写速度，最高分别可达550MB/s、520MB/s，已经是SATA 6Gbps下的实际极限了，基本不可能再高，并且850 EVO系列将有120GB、250GB、500GB、1TB等容量版本，维持现在840 EVO的标准。

  其价格方面分别是100美元、146美元、258美元、477美元，有不小的水分，其具体价格只能等到产品发布后才能得知，其发布时间预计最快11月就会发布。

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