公众号企业级SSD 三星845DC EVO固态硬盘详细解析
2014-08-14 06:00:00
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三星845DC EVO固态硬盘详细解析：
三星845DC EVO固态硬盘和最新发布的850PRO一样的MEX主控，它采用三核心Cortex-R4设计，拥有400MHz主频，主控编号为S4LN045X01-8030。该主控此前也被应用在面向系统制造商的PM853T上。缓存方面最大为1GB LPDDR2。
PCB板的正背面
三星845DC EVO固态硬盘闪存，缓存芯片、主控芯片，全部由三星自主研制。独家的技术也是三星SSD品质的保证。
三星845DC EVO固态硬盘闪存
闪存方面，三星845DC EVO固态硬盘采用了19nm Toggle 3bit MLC NAND，单颗容量128GB，四粒理论容量应该是512GB，由此可见其中有32GB容量被用作冗余计算，颗粒编号为K9OKGY8S7M-CCK0。
三星845DC EVO主控芯片
主控方面采用三星第五代MEX， S4LN045X01-8030(MEX)主控制器，和850PRO采用主控一样，频率从300MHz提升到400MHz，具备更强悍的多任务、多路数据读写传输能力。
三星845DC EVO高速缓存
缓存上，与850Pro一致，同样来自自家LPDDR2-1066 DRAM缓存，高达1GB LPDDR2独立缓存，缓存从最大512MB提升至1GB。
保护用电容
在SSD的PCB中能够看到密密麻麻的电容，这是十分罕见的。这里的PCB内置了23个防掉电保护用电容，即便发生一般性意外也可以保证数据不会轻易丢失，满足企业级SSD的需求。
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