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次世代记忆体MRAM与RRAM将颠覆整个存储器行业

天极网硬件频道 2018. 01. 26 作者:无名氏 责编:王跃锐
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  【天极网DIY硬件频道】内存和闪存终于在2017年年底开始降价了,不过哪怕是降价了也依然保持着较高的价格。不过对于用户来说,降价是好事,也有利于市场的健康发展。经过十多年的沉潜,号称次世代记忆体的产品也将要揭开其神秘面纱,次世代记忆体产品包括了FRAM(铁电记忆体)、MRAM(磁阻式随机存储记忆体)和RRAM(可变电阻式记忆体)。

  率先引爆次世代记忆体话题的是台积电,在2017年5月,台积电技术长孙元成在论坛上发表了自行研发多年的eMRAM(嵌入式磁阻式随机存储记忆体)和eRRAM (嵌入式电阻式记忆体)技术,分别计划在2018年和2019年风险试产,采用22nm制程工艺。

  与传统的DRAM、NAND Flash相比,eRRAM、eMRAM更适合物联网与人工智能的使用场景。目前主流的NOR与NAND Flash记忆体在次世代记忆体面前全面落后,次世代记忆体不仅具备了更快的读写速度、更低的能耗外,同时也更加耐用,不过成本过高。

  除了台积电之外,三星、台联电、格罗方德与英特尔也都在积极准备进军次世代记忆体。其实英特尔与美光合作的Optane就属于次世代记忆体中的一种,相信在未来也会有更大的发展。

作者:无名氏责任编辑:王跃锐)
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