极速霸主 深度解析三星850PRO的极速诱惑
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【天极网DIY硬件频道】固态硬盘技术最近受到了许多关注,它展示了这些年在存储器技术上的首次重大进步。三星850PRO它首次采用32层3D V-NAND技术制造的闪存,并且升级850PRO的主控制器,它支持的最大容量翻倍,达到TB级别。作为全新上市的三星850PRO系列固态硬盘,其主控和闪存等到了全面升级,为其提供了更全面的,更快捷,更安全的使用体验。今天我们将为大家全面解析这款三星850PRO,让大家详细的了解这款SSD它的性能和与众不同。
三星850PRO和三星840PRO的最大不同当数闪存和主控,三星850 PRO固态硬盘,在主控方面采用了三星全新研发生产的S4LN045X01-8030(MEX)主控制器,它属于ARM架构的三核处理器,具备更强悍的多任务、多路数据读写传输能力。主要提高在算法设计和CPU的频率。与之前的300MHz MDX三核主控相比,850PRO的MEX主控的频率提高到400MHz。
然而对于三星850PRO来说它的闪存则是最大亮点,代表整个闪存产业的最高技术水平。 三星3D V-NAND技术采用不同于传统NAND闪存的排列方式,通过改进型的Charge Trap Flash 技术,在一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元,使得在同样的平面内获得更多的存储空间。
在性能方面,三星850 PRO固态硬盘采用自己的32层3D V-NAND技术,可提供两倍于传统20nm平面NAND闪存的密度和写入速度,可提供市场上最快、最持久的性能,是用户值得信赖的产品。
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