三星3D V-NAND技术 助力十年保障

  【天极网DIY硬件频道】三星全新850PRO固态硬盘系列产品从发布到现在，就受到了三星固态硬盘新老用户的关注，超过500M/s的读写速度、全新的3D V-NAND技术，都成为吸引众多消费者的亮点，然而最吸引人的就是长达十年的质保承诺。

  三星SSD全新3D V-NAND技术的应用是三星850PRO系列产品十年质保的根源所在，那么3D V-NAND到底是什么意思呢？3D是指立体存储，V指的是垂直存储，说起来就是不再追求缩小cell单元，而是通过3D堆叠技术封装更多cell单元，这样也可以达到容量增多的目的。

  三星3D V-NAND技术分为两部分，3D(立体)化和V(垂直)堆叠化首先来看看3D化的含义：NAND使用的是浮栅极MOSFET，电子储存在栅极中，每次写入都会消耗栅极中的电子，一旦电子用光那就寿终正寝了三星放弃了传统的浮栅极结构，而是选择了用控制栅极和绝缘层将MOSFET环形包裹起来。这种3D环形结构设计提升了储存电荷的的物理区域，从而提高性能和可靠性。

  可靠性和性能提升是V-NAND闪存的一个方面，还有就是3D堆叠。由于三星已经可以垂直方向扩展NAND密度，那就没有继续缩小晶体管的压力了，所以三星可以使用相对更旧的工艺来生产V-NAND闪存，现在使用的是30nm级别的，介于30-39nm之间。

  使用旧工艺的好处就是P/E擦写次数大幅提升，目前的19/20nm工艺MLC闪存的擦写次数普遍是3000次，三星的V-NAND闪存可达35000次，这也是三星说可靠性提升2-10倍的由来。

  传统的SSD产品多数采用的是2D平面型设计的CELL(存储单元)技术，该技术最大的瓶颈就在于，临近存储单元的堆放密度极限，如何在同等面积下容纳更多的存储单元成为了SSD升级面临的最大问题。

  三星3D V-NAND技术采用不同于传统NAND闪存的排列方式，通过改进型的Charge Trap Flash 技术，在一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元，使得在同样的平面内获得更多的存储空间。

寿命提升2-10倍

  三星全新的3D V-NAND技术，在一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元，从而提高密度，降低碳足迹，别且还能可提供两倍于传统20nm平面NAND闪存的密度和写入速度。使得32层3D V-NAND闪存的使用寿命较之SLC闪存延长至两倍以上。

  全新的三星3D V-NAND技术使得全新的SSD产品的工作负荷大大提升，每天可应对40GB以上的超大容量，这样的工作负荷等同于写入150TB(TBW)，确保了SSD具有更长的使用寿命;这也是三星全新SSD产品能够在业内率先提供10年质保的最大技术保障。

  三星独家32层3D V-NANA闪存，其闪存技术可追溯到1971年，此后长达35年的时间里一直都在使用浮动栅极，后来换成了电荷捕获，目前随着技术工艺的成熟，通过电荷撷取闪存(charge trap flash)技术制造的3D闪存。 一度让整个SSD行业震惊，突破了目前2D或者平面NAND的比例限制，3D V-NAND可以提供比20nm平面NAND闪存高出一倍的扩展，而3D V-NAND不再贸然使用新工艺来缩小CELL单元，而是选择了堆叠更多层数这就和高楼大厦一个道理，可以居住更多户人，而且可以保证足够的公摊面积。

  同时，其32层3D V-NAND技术，可以使得SSD实现更高的存储密度、写入速度以及更低的功耗，与比传统2D平面型NAND更高的耐久性，代表着整个闪存产业的最高技术水平， 不过这肯定不是终点，3D V-NAND作为三星的未来，三星打算在3年后将3D V-NAND堆到100层也就是说SSD的容量将会逐年成倍增长，对于3D V-NAND闪存发展，就让我们拭目以待吧。