三星SSD 850 PRO固态硬盘详细介绍

  三星SSD 850 PRO固态硬盘内部解析

  三星SSD 850 PRO固态硬盘从主控、闪存、缓存再到固件算法全部来自三星独家研发，在外观方面，850PRO与840PRO基本没差别，内部拆解上850PRO其最大的特色就是采用了全新的3D V-NAND闪存芯片。3D V-NAND闪存芯片采用的垂直单元架构，能够打破过去闪存芯片在容量方面的局限性，同时也能够大幅度提升产品的读写速度以及稳定性。

背面面板的四个闪存芯片

  
闪存芯片

  闪存芯片的具体型号为K9PRGY8S5M，采用了三星自己的32层3D V-NAND技术，可提供两倍于传统20nm平面NAND闪存的密度和写入速度，并通过改为32层柱状细胞结构，可以垂直堆叠更多个细胞层，从而提高密度，降低碳足迹，可提供更出色的效能表现以及更好的稳定性、可靠性。

  
三星SSD 850 PRO主控芯片

  主控方面采用三星第五代MEX， S4LN045X01-8030(MEX)主控制器，和840PRO的300MHz MDX三核主控相比，850PRO的MEX主控的频率提高到400MHz，具备更强悍的多任务、多路数据读写传输能力。

三星高速缓存

  三星SSD 850 PRO固态硬盘缓存同样来自自家LPDDR2-1066 DRAM缓存，从最大容量为512GB的三星840PRO，拥有512MB独立缓存。而到了最大容量为1TB的850PRO，则拥有1GB LPDDR2独立缓存，缓存从最大512MB提升至1GB。