3D V-NAND技术 三星845DC PRO SSD详细解析
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三星845DC PRO 固态硬盘详细解析:
三星845DC PRO 固态硬盘主控方面采用三星研发生产的S4LN021X01-8030 MDX主控芯片,属于ARM架构的Cortex-R4系列三核处理器,具备更强悍的多任务、多路数据读写传输能力。缓存高达1GB,以及八颗闪存颗粒,型号K9PKGY8S7M-CCKO,共同组成800GB容量。
三星845DC PRO固态硬盘的PCB布局就与EVO版本有所不同了,所有芯片集中在PCB正面,而背部全部为电容。
PCB背面内置了18个防掉电保护用电容,即便发生一般性意外也可以保证数据不会轻易丢失,满足企业级SSD的需求。
三星845DC PRO闪存芯片
三星845DC PRO固态硬盘闪存采用了24层的V-NAND堆叠闪存,单颗容量128GB,八粒理论容量应该是1024GB,不过有28%的空进用作冗余计算,所以实际可用容量为800GB。
三星845DC PRO主控芯片
主控方面采用三星第五代MEX,S4LN021X01-8030(MEX)主控制器,频率400MHz,并且引入了SATA 3.1,可以支持队列TRIM指令,支持AES-256位加密。
三星845DC PRO高速缓存芯片
缓存上,配置与850 PRO、845DC EVO一致,同样来自自家LPDDR2-1066 DRAM缓存,高达1GB LPDDR2独立缓存,缓存从最大512MB提升至1GB。
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